国产光刻机的重大突破令人振奋！工信部近日发布了首台重大技术装备推广目录，其中最受关注的是两款国产DUV光刻机。需要强调的是，能入选该目录的并非概念性成果，而是具备量产能力的技术。

芯片制造主要包含设计、制造和封装测试三大环节。目前我国在设计与封装测试领域已达到世界先进水平，但制造环节始终面临挑战。特别是在美国禁止台积电向我国供应先进制程芯片后，我国制造工艺长期无法突破台积电的技术壁垒。

光刻机作为制造环节的核心设备，其技术门槛远超原子弹制造。它需要在指甲盖大小的芯片上布局上百亿个晶体管。这一过程涉及将复杂的设计图纸转移到晶圆上，并通过光刻机发出的特殊光源，在纳米尺度上构建微型电路系统。

以2纳米级别的EUV光刻机为例，其线条精细度相当于在蚊子腿上绘制100幅《清明上河图》。值得对比的是：我国研制原子弹耗时8年，而一台光刻机内部需调试的精密零件多达10万个。

在国产光刻机问世前，全球仅有荷兰和日本具备制造能力。荷兰ASML公司占据全球80%以上的市场份额，并垄断EUV光刻机生产技术。但这家公司始终受美国牵制——其前两大股东均为华尔街资本集团合计持股近1/4；同时美国对ASML供应链具有重大影响力。

一台光刻机包含超过10万个零部件中约有三分之一来自美国企业。例如EUV光刻机使用的极紫外光源设备仅由三家美国公司提供。自2019年起ASML全面停止向我国出口EUV设备；2021-2022年又对DUV高端型号实施管制；今年9月6日荷兰更是将两款中低端DUV设备纳入出口限制。

令人惊喜的是，在荷兰实施出口管制后短短数日我国便实现国产DUV光刻机突破。此次完成技术攻关的氟化亚胺光刻机实现套刻精度小于8纳米——需说明的是这并非意味着可生产8纳米芯片。

套刻精度指多重曝光技术的叠加精度水平相当于用两匹马完成一匹马的任务通过这种技术我们甚至可以实现7纳米乃至5纳米芯片效果但受限于工艺难度良品率会成为挑战不过对于28纳米芯片而言已完全达标且该性能已达到ASML低端设备的中档水平

很多人误以为28纳米是落后工艺实际上这是芯片技术的重要分水岭在全球范围内都具有竞争力3纳米5纳米芯片虽先进但除CPUGPUAI等最尖端产品外工业级车规级芯片普遍采用28纳米以上制程包括军工、航天、家电、机器人等领域均适用

此次光刻机突破具有战略意义虽然当前我国仍与ASML存在代差但需注意到我们一贯是做到80分才公布60分的成绩这意味着在DUV领域追赶及EUV制造能力提升只是时间问题

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